Mosfet 10N60 9.5A 600V Kênh N là Transistor hiệu ứng trường (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) là một Transistor  đặc biệt có cấu tạo và hoạt động khác với Transistor thông thường. Mosfet 10N60 có nguyên tắc hoạt động dựa trên hiệu ứng từ trường để tạo ra dòng điện, là linh kiện có trở kháng đầu vào lớn thích hợp cho khuyếch đại các nguồn tín hiệu yếu. Mosfet 10N60 là mosfet kênh N hay mosfet ngược, được đóng gói theo chuẩn TO-220.

Thông số kỹ thuật.

• Điện áp đánh thủng: 600V.
• Điện áp VGS = +/-30V
• Dòng chịu đựng trung bình: 9.5A.
• Nhiệt độ hoạt động: -55oC ~ 150oC.
• Công suất: 156W

Mosfet 10N60 9.5A 600V Kênh N

CÁC BẠN CẦN XIN HÃY LIÊN HỆ THEO CÁC THÔNG TIN SAU.
LINH KIỆN ĐIỆN TỬ TPHCM
Địa Chỉ: Số 40/12 Lữ Gia - Phường 15 - Quận 11 - HCM
Điện Thoại: 0963631012 - 0898404333
Website: https://caka.vn/