Mosfet 20N60 20A 600V NPN là Transistor hiệu ứng trường là một Transistor đặc biệt có cấu tạo và hoạt động khác với Transistor thông thường. Mosfet thường có công suất lớn hơn rất nhiều so với BJT, Mosfet 20N60 có công suất là 370W. Đối với tín hiệu 1 chiều thì nó coi như là 1 khóa đóng mở.
Thông số kỹ thuật.
- Điện áp đánh thủng là 600V.
- Điện áp VGS = +/-20V
- Dòng chịu đựng trung bình là 20A.
- Nhiệt độ hoạt động: -55oC ~ 150oC.
- Công suất: 370W
Mosfet 20N60 20A 600V NPN
Mosfet 20N60 có nguyên tắc hoạt động dựa trên hiệu ứng từ trường để tạo ra dòng điện, là linh kiện có trở kháng đầu vào lớn thích hợp cho khuyếch đại các nguồn tín hiệu yếu.
Mosfet G20N60 thích hợp trong các mạch điều khiển động cơ, UPS, hoạt động như một khóa đóng mở.
CÁC BẠN CẦN XIN HÃY LIÊN HỆ THEO CÁC THÔNG TIN SAU.
LINH KIỆN ĐIỆN TỬ TPHCM
Địa Chỉ: Số 40/12 Lữ Gia - Phường 15 - Quận 11 - HCM
Điện Thoại: 0963631012 - 0898404333
Website: https://caka.vn/
