Mosfet IRF530 17A 100V Kênh N có khả năng chạy tải liên tục 17A với điện áp tải 100V. Ngoài ra còn có các transistor khác trong dòng này là IRF531, IRF532 và IRF533. Tất cả các transistor này hơi khác nhau một chút nhưng chúng có thể được sử dụng thay thế cho nhau nếu tải của bạn nằm dưới các giá trị thông số kỹ thuật của các transistor này.
IRF530 được thiết kế cho các ứng dụng tốc độ cao và công suất lớn, ứng dụng tốc độ cao có thể trong thiết bị điện tử hoặc mạch thiết bị trong đó nhà thiết kế mạch yêu cầu chuyển đổi rất nhanh trong thời gian nano giây, các ứng dụng như mạch UPS, mạch sạc pin, ...
Thông số kỹ thuật.
- Loại gói: TO-220AB và các gói khác
- Loại transistor: Kênh N
- Điện áp tối đa từ cực máng đến cực nguồn: 100V
- Điện áp tối đa từ cực cổng đến cực nguồn: ± 20V
- Dòng cực máng liên tục tối đa: 17A
- Dòng cực máng xung tối đa: 56A
- Công suất tiêu tán tối đa là: 79W
- Điện áp tối thiểu cần thiết để dẫn: 2V đến 4V
- Nhiệt độ bảo quản và hoạt động tối đa: -55 đến +150 độ C.
Mosfet IRF530 17A 100V Kênh N
IRF530 có thể được sử dụng trong bất kỳ loại ứng dụng chuyển đổi mục đích chung và tốc độ cao nào theo thông số kỹ thuật của nó. Ngoài ra, nó cũng có thể được sử dụng để xây dựng các ứng dụng khuếch đại âm thanh công suất lớn. Quy trình vận hành của MOSFET này giống như bạn sử dụng các MOSFET khác.
CÁC BẠN CẦN XIN HÃY LIÊN HỆ THEO CÁC THÔNG TIN SAU.
LINH KIỆN ĐIỆN TỬ TPHCM
Địa Chỉ: Số 40/12 Lữ Gia - Phường 15 - Quận 11 - HCM
Điện Thoại: 0963631012 - 0898404333
Website: https://caka.vn/
